Harrick VariGATR Grazing Angle Ge ATR

Harrick VariGATR專業級掠角變角 ATR 附件

適用於半導體晶圓表面、超薄膜與單分子層分析的高靈敏度 ATR 解決方案。

VariGATR 採用 Ge 晶體與掠角變角量測設計，專為表面層訊號強化與薄膜分析需求所規劃。藉由可調整的入射角條件、大尺寸樣品平台與 slip-clutch 壓力控制，可在兼顧樣品接觸穩定性與晶體保護的前提下，提供高重現性的表面量測表現。

查看產品重點 Request a Quote

60° – 65° Ge 晶體搭配掠角量測條件，可有效提升表面薄層的量測靈敏度。

Up to 8 inches 開放式樣品平台可支援整片晶圓與大尺寸平面樣品量測。

10x+ 相較傳統掠角反射法，可提供至少一個數量級以上的靈敏度提升。

Feature Grid

產品特色專為單分子層、薄膜與半導體表面分析需求所打造

60° 至 65° 入射角搭配 Ge 晶體，可顯著強化表面訊號，特別適合單分子層與超薄膜分析。

開放式設計支援最大 200 mm（8 吋）樣品，可對應整片晶圓與大型平面基板量測需求。

內建 slip-clutch 壓力調節器，可在保護 Ge 晶體的同時提供高度一致且可重複的接觸力。

VariGATR 並非一般通用型 ATR 的延伸版本，而是針對表面層分析需求所設計的專業解決方案。藉由 Ge 晶體、掠角條件與穩定壓力控制的整合，可在半導體表面、金屬基板與吸附層分析中提供更具辨識度的表面訊號。

Performance & Path

VariGATR 在極薄有機單分子層量測中可呈現優異的靈敏度表現。根據原廠資料，相較傳統掠角量測方式，其靈敏度可提升至少一個數量級，特別適合表面化學與薄膜研究。

Ge 晶體搭配 60° 至 65° 掠角條件，可有效強化表面層訊號。對於矽晶圓與金屬基板上的薄膜樣品，可在高重現性接觸條件下獲得清晰且具辨識度的表面光譜資訊。

VariGATR 的接觸機構專為大型樣品與表面量測條件所設計，可在保護 Ge 晶體的同時建立穩定且可重複的接觸狀態，對極薄膜與表面吸附層分析尤其重要。

VariGATR 特別適合以表面訊號為主要觀察目標的研究情境。若分析重點在於表面官能基、吸附層或超薄膜變化，通常較一般 ATR 附件更能凸顯表面層資訊。

Si wafers Monolayers Thin films Metallic substrates Adsorbed species Surface chemistry

首選樣品： 晶圓表面、超薄有機膜、單分子層與吸附物種。

量測優勢： Ge 晶體搭配掠角條件，可強化表面層吸收訊號並降低基材干擾。

導入情境： 表面改質評估、薄膜製程比較、官能基變化追蹤與半導體研發分析。

Technical Specs

VariGATR 為 fully prealigned 的水平式掠角 Ge ATR 附件，支援大尺寸樣品量測。若樣品尺寸較大，亦可搭配大型樣品角度觀測配件與 force sensor 等選配件。

半導體與晶圓： 特別適合 Si wafer、鍍膜表面與表面官能化研究。

單分子層： Ge HATR 與掠角條件對 monolayers 與 adsorbed species 具有高靈敏度優勢。

重現性： Slip-clutch 有助於建立可重複的接觸條件，降低人工操作差異。

擴充性： 可搭配 polarizer、force sensor 與大型樣品輔助配件。

若您正在規劃半導體晶圓、金屬基板、單分子層或超薄膜的 FTIR 表面分析，歡迎提供 FTIR 機型、樣品尺寸、基材性質與量測目標。我們可協助整理適合的 VariGATR 配置方向與相關選配件。